- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/35 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire avec transistors de sélection de cellules, p.ex. NON-ET
Détention brevets de la classe H10B 43/35
Brevets de cette classe: 641
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 9847 |
125 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
117 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
100 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
83 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
49 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
36 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
30 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
13 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
13 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
7 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
7 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
6 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
4 |
| Intel NDTM US LLC | 373 |
4 |
| Intel Corporation | 45621 |
3 |
| ASM IP Holding B.V. | 1715 |
3 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
3 |
| Winbond Electronics Corp. | 1173 |
3 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
3 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
2 |
| Autres propriétaires | 30 |